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崔光磊、孙明亮ACS Energy Lett.:为实用镁电池实现金属镁阳极的平面沉积/剥离行为

科研 1年前 2023-12-06 浏览 127

作为一种很有途的候选者,可充电镁金属电池具有相对较高的能量密度、丰富的资源、稳定的供应链和可持续性。到目前为止,大多数报道的RMB都是基于镁金属阳极的,因为镁金属具有3833 mAh cm-3的高理论容量(金属锂为2046 mAh cm-3)和低氧化还原电位(相对于SHE,标准氢电极为−2.36 V)。更重要的是,与锂和钠金属相比,镁金属不太可能形成枝晶,这是过去一直强调的一个关键特征。然而,充足的证据表明,即使在电流密度极低(0.01 mA cm-2)的情况下,当使用实用的聚烯烃隔膜时,镁(Mg)金属电池也容易发生短路。

近日,中国海洋大学孙明亮、中国科学院青岛生物能源与过程研究所崔光磊、Du Aobing团队研究发现,在镁金属电池中,由基底的高晶格失配引起的岛状镁沉积是造成短路的罪魁祸首。虽然采用了只暴露 (0001) 面的单晶镁基片来促进平面镁沉积,但伴随而来的不均匀镁剥离行为仍会在循环过程中引发短路。经过精细装饰的三维(3D)基底与镁金属(0001)面的晶格错配度较低,且具有丰富的亲镁性位点,因此可在大面积容量(4 mAh cm-2)和薄聚丙烯隔膜(25 μm)条件下实现稳定充放电。逐层平面生长模型的建立和三维亲镁基底的设计策略将加速金属镁电池的商业化进程。

金属沉积是一个复杂的电化学反应过程,一般包括多个反应步骤:(1) 溶解的金属离子从体积电解质移动到电极附近双电层的外部极限,然后发生电吸附;(2) 溶解的阳离子脱去溶剂分子,在电极表面还原成吸附原子;(3) 这些吸附原子在表面上扩散并融入金属晶格。因此,任何能够调节上述一个或多个反应步骤的影响因素都会对相应的金属沉积形态产生重要影响,例如各种电解质类型、集流体或隔膜的表面改性以及不同的外加电流密度大小。

在本研究中,研究人员选择了常用的 APC (all phenyl complex)  电解液来重点研究镁金属的沉积行为,因为这种电解液具有优异的镁金属兼容性。大量研究(包括研究人员团队的工作)表明,当施加的电流密度低于极限电流密度时,金属镁沉积物出乎意料地没有枝晶。然而,研究人员在最近使用 APC 电解液的实验中观察到了有趣的短路现象,尤其是在使用较薄的隔膜时,如纤维素隔膜(厚度:30 μm)、聚四氟乙烯(PTFE)隔膜(厚度:30 μm)和聚丙烯(PP)隔膜(厚度:25 μm)。

图 1. (a) 自制双电极电池中 Mg∥Mg 对称电池测试。第一阶段(b)和第二阶段(c)的截面 SEM 图像、EDS 图谱和原理图,分别对应 15 分钟和 70 小时的沉积时间。(d) 带有 GF/D 隔膜的 Mg∥Mg 对称纽扣电池的恒流测试。第 iii 阶段(e)和第 iv 阶段(f)的截面 SEM 图像、EDS 图谱和示意图,分别对应 30 分钟和 90 小时的沉积时间。(g) 带 PP 隔膜的 Mg∥Mg 对称纽扣电池的恒流测试。第 v 阶段(h)和第 vi 阶段(i)的截面 SEM 图像、EDS 图谱和示意图,分别对应 0.1 和 0.6 小时的沉积时间。

为了准确理解短路前的沉积持续时间与隔膜厚度之间的关系,研究人员在镁||镁对称电池中进行了恒流测试,并增加了聚丙烯隔膜的数量。

研究了装有不同数量 PP 隔离层的镁电池的沉积曲线。使用单层 PP 的纽扣电池在短路前的沉积持续时间约为 0.68 小时(0.34 mAh cm-2)。当隔膜数量增加到两个和三个时,短路前的沉积时间分别延长到 1.44 小时(0.72 mAh cm-2,单层 PP 的 117.76%)和 3.51 小时(1.75 mAh cm-2,单层 PP 的 416.17%)。研究人员要强调的是,除隔膜厚度外,这三种电池的所有参数都完全一致。显然,在采用 PP 隔膜的镁||镁对称纽扣电池中,短路前的沉积时间(即沉积镁量)与两个电极之间的距离密切相关。以带有两层聚丙烯隔膜的纽扣电池为例,在第 vii 阶段(沉积开始后 22 分钟)从纽扣电池上拆卸下来,研究人员发现镁沉积在 PP(1)的随机位置。

从 SEM 图像中可以获得更明确的证据,沉积镁颗粒随机分布在 PP(1)表面。一些镁沉积物明显嵌入 PP(1)内部。当沉积时间达到 1 小时(第 viii 阶段)时,沉积的小镁颗粒相互接触并形成岛状沉积。

由于金属镁的弹性模量远大于聚丙烯的剪切模量,形成的镁岛沉积物很容易穿透隔膜并导致短路。这些结果表明,即使在理论上安全的电流密度下(低于限制电流密度),非枝晶沉积镁也能在沉积过程中完全穿透隔膜,最终引发短路。

图 2. (a) 生长薄膜与基底之间的表面能差异/晶格失配引起的三种薄膜生长模式,其中 γs 和 γf 分别代表基底和薄膜的表面能,αs 和 αf 代表基底和薄膜的晶格参数。请注意,此时 γ 和 α 都是所选暴露表面的参数。(b) Mg 晶体的 Wulff 形状和计算得出的代表性晶体表面的表面能。沉积镁后镁箔基底(c)和单晶镁(0001)基底(d)的原子力显微镜图像。e)单晶镁基底上沉积镁(0.5 mA cm-2 ,3 mAh cm-2)的低倍 EBSD 取向图。(f) 不同电极基底上沉积镁的 XRD。(g) 在电流密度为 0.5 mA cm-2 时,沉积到完全匹配基底上的沉积镁的形态演变和扫描电镜图像,沉积镁在单晶镁基底上的容量随电流密度的增加而增加。

通过综合分析上述实验数据,尤其是极低电流密度(0.01 mA cm-2)下的短路现象,研究人员得出结论:描述金属(如 Li、Na 和 Zn)枝晶的经典 Chazalviel 理论可能并不适用于解释这些异常短路行为。考虑到镁沉积物的岛状形态和镁金属固有的高弹性模量,研究人员建议用 Zhang 等人的综述中提到的薄膜生长模型来解释镁沉积行为。在该模型中,薄膜生长行为可分为岛状生长、层加岛状生长和逐层生长,它们取决于两个影响因素:如图 2a 所示,(1)基底和沉积膜之间的晶格失配;(2)基底和沉积膜之间的表面能差。金属镁晶体属于六方紧密堆积(hcp)结构。hcp 中单位面积原子密度最高的平面是 (0001)。如图 2b 所示,(0001) 平面的表面能最小(0.51 J m-2 ),有利于沉积平行于阳极表面的平板镁。研究人员初步筛选了几种商用金属箔作为基底,以研究表面能和晶格失配的具体影响,包括钛箔、锆箔、铜箔和铝箔。    

结果表明,短路前的时间因所用基底的不同而有很大差异,这表明基底对镁沉积行为有着至关重要的影响。然而,性能最好的 Zr 箔在达到 2.76 mAh cm-2 的容量后也出现了短路。研究人员还尝试使用 Ti 或 Zr 粉末涂层基底来进一步提高表面能。随着表面能的增加,短路前的沉积容量也逐渐提高。严格来说,这些金属箔和金属粉末都是多晶体,并非所有暴露的表面都是最合适的晶格平面。

为了使镁金属沉积物尽可能平面生长,研究人员选择了取向为 (0001) 的单晶镁作为基底,以研究在晶格匹配良好的情况下的沉积行为。实验细节与之前相同,包括电流密度、隔膜、电解液等。如原子力显微镜(AFM)成像(图 2c)所示,普通镁箔基底上的沉积镁显示出相对不均匀的形态,这有利于侵蚀性生长和最终的短路。相比之下,取向为 (0001) 的单晶镁基底上则覆盖着一层平面致密层(图 2d)。然后采用扩展视场电子反向散射衍射 (EBSD) 来确认沉积镁的晶体取向。正如预期的那样,沉积镁呈现单晶取向,与底层镁基底的取向一致,并保持非枝晶的平面形态(图 2e)。
此外,EBSD 在所有三个方向上的颜色分布均匀,证明没有产生孪晶来适应任何晶格匹配。此外,研究人员还利用 X 射线衍射 (XRD) 来评估不同基底上的沉积镁。史无前例的是,研究人员观察到单晶镁基底上的沉积镁具有与基底相同的单晶取向((0001)取向),这意味着平面镁膜在沉积镁沉积物中占主导地位(图 2f)。相比之下,普通镁箔上的沉积镁不仅形态不规则,而且晶体取向复杂,有利于形成岛状沉积。
要强调的是,(0001)取向的单晶镁基底往往会诱导形成纹理,而所形成的镁原子具有相同的晶体取向。因此,沉积镁倾向于遵循平面外延生长模式,有利于构建六边形平面层。单晶镁基底上沉积镁的形貌随沉积面积增大而发生的演变提供了有力的证据。如图 2g 所示,受益于基底的诱导作用,沉积镁更倾向于在 (0001) 方向成核和生长,该方向与基底的晶格错配度最低,并呈现出平面六边形小板。随着电容量的增加,离散的六边形镁小板均匀地增厚和膨胀(容量:0.2 mAh cm-2),然后在附近相互融合,形成连续的平整致密的镁沉积膜(电容量:0.5 mAh cm-2),这也得到了原子力显微镜(AFM)和电致发光显微镜(EBSD)结果的证实(图 2d、e)。    

在无氯化物的 Mg[B(hfip)4]2 基电解质中,还研究了 (0001) 取向单晶镁基底上的镁沉积行为。可以明显观察到类似的平面镁沉积,这表明单晶镁基底促进的外延生长是普遍的。

虽然采用取向为(0001)的单晶镁基板可以获得平面致密的镁沉积膜,但在单晶镁∥单晶镁对称电池中,阳极不均匀的剥离行为仍然不可避免地会在 6 个周期内造成短路(图 3a)。从图 3b-e 中可以明显看出,经过第一道沉积工序后的单晶镁仍能保持光亮的表面,但经过第一道剥离工序后的单晶镁则明显变黑。经过循环处理后,单晶镁表面会出现明显不均匀的镁沉积。如图 3f(虚线标记的凹坑)所示,经过剥离过程后,单晶镁阳极表面随机分布着大小和深度不同的六边形凹坑,这是剥离行为不均匀造成的。尤其是在中等电流密度(2 mA cm-2)条件下,APC 电解液中含氯物的不均匀积累进一步加剧了凹坑在块状阳极中的扩展。更可怕的是,当受到不均匀剥离行为困扰的单晶镁阳极在后续沉积过程中,镁沉积物更倾向于以三维球形聚集体的形式分布在凹坑边缘,如图 3g 所示。
毫无疑问,这种现象是导致镁电池短路的罪魁祸首之一。为了探究不均匀剥离行为的原因,研究人员设计了一个原位傅立叶变换红外(FTIR)实验,以观察金属镁阳极/电解质界面附近含氯成分的离子浓度和离子-溶剂结构演变。如图 3h-j 所示,在第四阶段,Mg-Cl 键合峰的吸光强度显著且持续增加,这表明在此剥离过程中,含氯离子在界面附近自加速积累。
图 3:(a)单晶镁∥单晶镁对称电池的恒流循环。(b) 原始单晶镁,(c) 经过第一道沉积工序后的单晶镁,(d) 经过第一道剥离工序后的单晶镁,(e) 经过多次充放电循环后的单晶镁。(f) 经过第一次剥离过程后的单晶镁的扫描电镜图像和示意图:蓝线区域为浅凹坑,红线区域为浅凹坑中的凹坑。(g) 经过多次充放电循环后的单晶镁的扫描电镜图像和示意图。上述测试是在电流密度为 2 mA cm-2 的情况下以 4 mAh cm-2 的面积容量进行的。(h-j) 在充放电循环过程中对单晶镁/电解质界面进行的原位傅立叶变换红外图谱分析。沉积持续时间控制在 30 分钟内;剥离过程持续到沉积镁金属耗尽为止;两者的应用电流密度均为 1 mA cm-2;在充放电过程之间,电池在 OCV 下保持 5 分钟。(h) 800-650 cm-1 范围内的时间分辨叠加傅立叶变换红外图;(i) 单晶镁∥镁电池的相应充放电曲线(镁电极为常规镁箔);(j) 在沉积和剥离过程中,络合阳离子(含 Mg-Cl 的络合物)在 664 cm-1 处特征峰的强度变化。(第 I 阶段表示沉积过程,第 II 阶段表示静置过程,第 III 阶段表示剥离过程,第 IV 阶段表示自加速剥离过程)。

根据之前的研究,界面含氯离子开始积累,并优先出现在形成的凹坑中。含氯离子的存在进一步促进了剥离反应,导致凹坑的自我加速生长。基于上述讨论,研究人员认为使用金属镁箔阳极(包括单晶镁)很难保证镁电池在实际条件下(薄隔膜、高面积容量等)具有合格的循环寿命。

考虑到单晶镁的制备复杂性和块状镁阳极不均匀的剥离行为,具有丰富电化学反应位点的三维亲镁宿主被认为是诱导均匀沉积/剥离镁行为的最简单、最有效的策略。

作者通过在碳布上构建垂直排列的氢氧化镍纳米片阵列,合成了一种高效的三维亲镁RMB衬底(标记为 Ni(OH)2@CC),并通过多种方法(如 XRD、SEM、拉曼和 XPS)证实了 Ni(OH)2@CC。正如之前的研究得出的结论,Ni(OH)2@CC 具有多种优点:(1) Ni(OH)2 和镁都具有六方晶系结构,制备的 Ni(OH)2@CC 具有与 Mg(0001) 相匹配的特定暴露面(晶格失配率低至 2.8%)。(2)Ni(OH)2@CC 具有较大的暴露表面积,表面能也相应增加,从而使镁沉积物从孤岛生长过渡到二维平面生长。此外,多孔三维宿主还能降低局部电流密度,适应循环过程中的体积变化。(3) Ni(OH)2 暴露在外的羟基是强亲镁位点,可确保 Mg2+ 优先吸附在 Ni(OH)2 的(002)和(110)面上,从而导致 Mg0 优先沉积。(4) 周期性小丘状静电势可引导镁核在原子水平上的排列。为了评估这种三维亲镁宿主的有效性,在电流密度为 0.5 mA cm-2 的条件下,在 Ni(OH)2@CC 基质上沉积了 8 mAh cm-2 的金属镁沉积物,命名为 Mg@Ni(OH)2@CC。与 Mg∥Cu 不对称电池相比,Mg@Ni(OH)2@CC∥Ni(OH)2@CC 不对称电池的循环伏安图显示出较低的起始还原电位,经测定为-0.06 V。

普通镁||普通镁、单晶镁||单晶镁、Mg@Ni(OH)2@CC||Mg@Ni(OH)2@CC的电化学阻抗谱(EIS)对比表明,Ni(OH)2@CC的引入有效降低了界面阻抗。在薄隔膜条件下,Mg@Ni(OH)2@CC∥Mg@Ni(OH)2@CC对称电池在570小时内电压曲线稳定,面积容量为4 mAh cm-2(图4a),明显优于单晶镁对称电池。

图 4. (a) 普通镁∥普通镁、单晶镁∥单晶镁、Mg@Ni(OH)2@CC∥Mg@Ni(OH)2@CC 对称电池在电流密度为 2 mA cm-2 和等容量为 4 mAh cm-2 时的恒流循环。(b, c) Mg@Ni(OH)2@CC||Ni(OH)2@CC 不对称电池在电流密度为 2 mA cm-2 和平均容量为 4 mAh cm-2 时的沉积/剥离镁电压曲线。(d) Mg@Ni(OH)2@CC||Mo6S8 在 0.5 C(1 C = 128 mAh g-1)条件下的长期循环性能;(e) 相应的充放电曲线。

Mg@Ni(OH)2@CC∥Ni(OH)2@CC不对称电池在接近500小时的长周期内表现出稳定的性能,库仑效率高达99.5%(图4b,c),这表明Mg@Ni(OH)2@CC在高放电深度(50%)下具有优异的性能。之前的研究表明,外延电晶镁在沉积过程中会均匀地分布在 Ni(OH)2@CC 上,晶体取向以(0001)为主,这有利于形成致密平整的沉积层。Mg@Ni(OH)2@CC 的拉曼图谱和 XPS 图谱表明,镁沉积并没有破坏 Ni(OH)2@CC 的成分和结构。原位傅立叶变换红外图谱实验还表明,Ni(OH)2@CC 基底上不存在自加速剥离阶段,这意味着Ni(OH)2@CC 基底上的沉积/剥离行为相对均匀。此外,还利用 Mg@Ni(OH)2@CC 阳极与高负载 Mo6S8 阴极(∼30 mg cm-2)组装全电池。如图 4f、g 所示,这种 Mg@Ni(OH)2@CC||Mo6S8 电池可在 0.5 C下稳定循环,库仑效率平均达到 99.9%。比容量从 65.33 mAh g-1 略微下降到 64.49 mAh g-1,容量保持率为 98.7%(基于第二次循环)。相比之下,在相同的测试条件下,采用普通镁箔阳极的全电池很快就会因短路而失效。这一结果进一步证实了 Ni(OH)2@CC 衬底的实用性及其在抑制不均匀沉积/剥离行为方面的有效性,其性能优于之前的大多数工作,为实用金属电池提供了一条前景广阔的途径。    
【结论】

研究人员研究了当采用较薄的隔膜(聚丙烯、纤维素等)时,金属镁阳极电池出现短路故障的原因。此外,研究人员还证明了晶格失配和基底表面能对影响沉积性能的重要性。简而言之,与金属镁具有低晶格失配的基底是实现均匀沉积形态的先决条件。单晶金属镁作为一种可获得的具有完美晶格匹配的阳极材料,无需额外的结构和界面改性即可诱导均匀的镁沉积。然而,块状镁阳极的不均匀剥离行为会诱发后续的不均匀沉积,这仍然严重威胁着电池的安全性。为了解决上述问题,研究人员采用了一种具有低晶格失配和高表面能的低成本三维亲镁宿主(Ni(OH)2@CC)。得益于 Ni(OH)2@CC 在诱导镁沉积外延和抗不均匀剥离方面的卓越能力,使用高负载 Mo6S8 阴极的全电池实现了合格的长循环性能。

总之,本工作深入探讨了镁电池中非枝晶异常沉积行为导致的短路现象,并提出了行之有效的解决方案,为镁金属阳极的实际应用提供了重要的推动力。

(来源: 电化学能源)

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